知情人士稱，中國計劃在2021到2025年的五年之內(nèi)，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面對第三代半導(dǎo)體發(fā)展提供廣泛支持。其稱，下一個五年的經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)略包括向無線網(wǎng)絡(luò)到人工智能等技術(shù)領(lǐng)域投入約1.4萬億美元。

昨日下午，受相關(guān)消息影響，概念股乾照光電等相關(guān)標(biāo)的直線拉升。

第三代半導(dǎo)體材料是功率半導(dǎo)體躍進(jìn)的基石。

相對于傳統(tǒng)的硅材料，第三代半導(dǎo)體材料，即寬禁帶半導(dǎo)體材料，是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導(dǎo)體材料，目前比較成熟的有碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等。其更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。

隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動的新計算時代的發(fā)展，對半導(dǎo)體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料、器件、模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈，全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開始。

第三代半導(dǎo)體相關(guān)專利申請自2000年以來快速增長，美國早期領(lǐng)銜全球?qū)＠鲩L，而近些年，我國的申請量快速增長，超越美國。英飛凌、ST等全球功率半導(dǎo)體巨頭以及華潤微、中車時代半導(dǎo)體等國內(nèi)功率廠商都重點(diǎn)布局在該領(lǐng)域的研究。

為了發(fā)展功率半導(dǎo)體，華為也開啟了對第三代半導(dǎo)體材料的布局。華為旗下的哈勃科技投資有限公司在2019年8月份投資了碳化硅龍頭山東天岳，持股10%。

以下為財聯(lián)社聯(lián)合星礦數(shù)據(jù)梳理各機(jī)構(gòu)關(guān)于第三代半導(dǎo)體材料核心標(biāo)的，其中碳化硅概念股包括臺基股份、露笑科技，氮化鎵概念股包括海特高新、揚(yáng)杰科技、士蘭微、聞泰科技、三安光電、華潤微等。