五位院士現場發言、多位專家和企業家討論、千余名業內人士參與……面對全球半導體格局重塑的關鍵期，在近日由武漢東湖新技術開發區管委會、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、九峰山實驗室、光谷集成電路創新平臺聯盟共同主辦的2023中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產業大會上，半導體產業人士呼吁，加快構建我國化合物半導體產業技術、應用、創新生態。

“以第三代半導體為代表的化合物半導體材料快速崛起，未來10年將對國際半導體產業格局的重塑產生至關重要的影響。特別是光電子產業正從萌芽走向成長期，將成為整個信息產業中一個新的經濟增長極。”中國工程院院士、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任干勇表示，要搶抓機遇期，合力推動我國化合物半導體產業發展，提升我國產業創新能力和國際競爭力。

半導體是信息產業和國家競爭的基石。中國工程院院士、華中科技大學校長尤政指出，化合物半導體以其優異性能成為光電子、射頻通信和電力電子等產業自主創新發展和轉型升級的核心材料，是國家2030規劃和“十四五”國家研發計劃確定的發展領域，被視為我國半導體行業超車的機會。

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“中國光谷具備發展化合物半導體技術和應用的良好基礎。搶抓化合物半導體的機遇，將更加豐富中國光谷光電子產業的內涵，提升產業的綜合競爭力，助力世界光谷的建設。”尤政表示，面向未來，華中科技大學將繼續立足光谷，通過產學研深度合作，繼續加強在化合物半導體領域的學術型、技術型、工程型核心人才培養和技術攻關，助力中國光谷打造成為全球化合物半導體創新的新生態標桿、產業引領的新高地、尖端人才的聚集高地。

氮化鎵射頻器件因其優異性能，在高新技術產業中發揮舉足輕重的作用，已成為全球半導體領域的研究焦點和世界各國競相搶占的戰略制高點。中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍指出，氮化物半導體材料的優異特性，使得它在未來的6G通信中具有廣闊應用前景。不過，同碳化硅一樣，氮化物半導體也面臨著諸多挑戰。第一是它的功率密度還能高到什么程度。第二是空間輻照問題。如果空間輻照問題不能得到解決，高效的電源器件就很難進入航空航天領域應用。

除了氮化物外，近年來氧化物半導體也備受關注。郝躍認為，雖然氧化物半導體離產業化應用還有一定的距離，但已經看到了其前景。與氮化鎵和碳化硅相比，氧化物半導體的禁帶寬度更寬，可以實現更低的損耗。但氧化物半導體也有弱點，不解決它的散熱問題，就不可能實現產業化。

“未來化合物半導體要跟硅半導體緊密融合。”郝躍建議，應該成立一個開放的平臺，實現硅集成電路和化合物半導體的多功能集成。這樣光電子、傳感器、功率電子等都可以與硅集成電路廣泛地集成在一起，實現真正意義上的多功能，推動我國整個電子信息產業不斷發展。

鈮酸鋰材料素有光電子時代“光學硅”的稱號。中國科學院院士、南京大學教授祝世寧指出，薄膜鈮酸鋰光電器件與集成技術具有低損耗、易調控、非線性等特點，為大規模光子集成創造了條件。薄膜鈮酸鋰集成光子學應用前景令人期待。不過，祝世寧同時指出，盡管我國起步很早，但是光子集成的道路遠遠比電子集成更加坎坷，至今核心材料與技術路線仍未完全確立。未來，要發展和優化基于薄膜鈮酸鋰器件獨特的加工與制備技術等。

光波技術是信息技術的重要部分，光電子器件是光波技術的核心。中國工程院院士、清華大學教授羅毅認為，從光纖通信、LED與半導體照明到光電子與人工智能，是光電子器件服務社會的三次大機會。在羅毅看來，在智能時代，智能成像系統愈發重要。在現有范式下，采集設備采集的像素量迅速增長，像素處理算法的能耗與像素量成正比，現有人工智能硬件難以支持未來的增長。未來，感存算一體、高能效的計算成像將是發展趨勢。

“當前正值全球半導體格局重塑的歷史關鍵期。”第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲認為，化合物半導體很適合我國的“土壤”。化合物半導體產業未來的發展，要聚焦國家戰略，重大項目牽引，形成發展合力；以應用促發展，培育龍頭，加快迭代研發，推動產業集群；建立協同創新的產業體系和生態；推進新形勢下精準深入的國際科技合作。

隨著碳化硅的市場需求向好，全球碳化硅產業格局紛爭，全產業鏈延伸趨勢明顯，國產裝備也在不斷向前發展。北京北方華創（002371）微電子裝備有限公司總裁董博宇表示，裝備企業需要有深耕的意識，不斷吸收先進理念，持續進行工藝創新。